Виды
полупроводниковых приборов
Полупроводниковый прибор (Halbleiterbauelement, Semiconductor device)–
прибор, действие которого основано на использовании свойств
полупроводника.
Силовой полупроводниковый прибор (Halbleiterleistungsbauelement,
Semiconductor power device)– полупроводниковый прибор, предназначенный
для применения в силовых цепях электротехнических устройств.
Полупроводниковый блок (Semiconductor assembly)– совокупность
полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической
схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.
Набор полупроводниковых приборов (Semiconductor assembly set)–
совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию,
не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.
Полупроводниковый диод (Halbleiterdiode, Semiconductor diode)–
полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя
выводами.
Точечный полупроводниковый диод (Halbleiterspitzendiode, Point contact
diode)– полупроводниковый диод с точечным переходом.
Плоскостной полупроводниковый диод (Halbleiterflachendiode, Junction
diode)– полупроводниковый диод с плоскостным переходом.
Выпрямительный полупроводниковый диод (Halbleiterleichrichterdiode,
Semiconductor rectifier diode)– полупроводниковый диод, предназначенный
для преобразования переменного тока в постоянный.
Лавинный выпрямительный диод (Avalanche rectifier diode)–
выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками
минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в
течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя
вольтамперной характеристики.
Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем
(Controlled-avalanche rectifier diode)– выпрямительный
полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и
минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в
установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольтамперной
характеристики.
Выпрямительный полупроводниковый столб (Semiconductor rectifier stack)–
совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных
последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.
Выпрямительный полупроводниковый блок (Semiconductor rectifier assembly)–
полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых
диодов.
Импульсный полупроводниковый диод (Halbleiterimpulsdiode, Signal diode)–
полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов
и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
Полупроводниковый диод с резким восстановлением обратного сопротивления
(Ladungsspeicherdiode, Snap-off (step-recovery) diode)–
полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока
и обладающий эффектом резкого восстановления обратного сопротивления,
который используют для целей умножения частоты и формирования импульсов
с малым временем нарастания.
Диод с накоплением заряда (Snap-off (step recovery) diode)– импульсный
полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока
и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче
обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с
малым временем нарастания.
Туннельный полупроводниковый диод (Halbleitertunneldiode, Tunnel diode)–
полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором
туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике
при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной
проводимости.
Обращенный полупроводниковый диод (Halbleiterunitunneldiode, Unitunnel (backward)
diode)– полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической
концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении
вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом
напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.
Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод (UHF-Halbleiterdiode,
Microwave diode)– полупроводниковый диод, предназначенный для
преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала.
Лавинно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterlawinenlaufzeitdiode,
Impact avalanche-(and-) transit time diode)– полупроводниковый диод,
работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном
смещении электрического перехода и предназначенный для генерации
сверхвысокочастотных колебаний.
Инжекционно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterinjektionslaufzeitdiode,
Injection (and-) transit time diode)– полупроводниковый диод,
работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и
предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
Переключательный полупроводниковый диод (Halbleiterschaltdiode,
Switching diode)– полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала
низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление– при
обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала.
Смесительный полупроводниковый диод (Halbleitermischdiode, Semiconductor
mixer diode)– полупроводниковый диод, предназначенный для
преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.
Диод Ганна (Gunn-Element, Gunn diode)– полупроводниковый диод, действие
которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления
под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для
генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний.
Коммутационный полупроводниковый диод (Halbleiter-HF-Schaltdiode)–
полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных
цепей.
Регулируемый резистивный полупроводниковый диод (PIN‑Diode, PIN diode)–
полупроводниковый p‑i‑n диод, применяемый для регулирования
сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого
для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого
смещения.
Детекторный полупроводниковый диод (Halbleiterdemodulatordiode, Detector
diode)– полупроводниковый диод предназначенный для детектирования
сигнала.
Ограничительный полупроводниковый диод (Halbleiterbegrenzerdiode,
Microwave limiting diode)– полупроводниковый диод с лавинным пробоем,
предназначенный для ограничения импульсов напряжения.
Умножительный полупроводниковый диод (Halbleitervervielfacherdiode,
Semiconductor frequency multiplication diode)– полупроводниковый диод,
предназначенный для умножения частоты.
Модуляторный полупроводниковый диод (Halbleitermodulatordiode,
Semiconductor modulator diode)– полупроводниковый диод, предназначенный
для модуляции высокочастотного сигнала.
Диод Шоттки (Schottky-Diode, Schottky (-barrier) diode)–
полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на
взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.
Варикап (Kapazitatsdiode, variable capacitance diode)–
полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании
зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для
применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode, Semiconductor parametric diode)– варикап,
предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в
параметрических усилителях.
Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп. Зенеровский диод,
Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode)– полупроводниковый диод,
напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при
протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для
стабилизации напряжения.
Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor
noise diode)– полупроводниковый прибор являющийся источником шума с
заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.
Биполярный транзистор (Транзистор, Bipolarer Transistor, Bipolar
transistor)– полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими
переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого
обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих
полярностей.
Бездрейфовый транзистор (Ндп. Диффузионный транзистор,
Diffusionstransistor, Diffusion transistor)– биполярный транзистор, в
котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область
осуществляется в основном посредством диффузии.
Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor)–
биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда
через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.
Точечный транзистор (Ндп. Точечно-контактный триод, Spitzentransistor,
Point contact transistor)– биполярный транзистор с точечными
переходами.
Плоскостной транзистор (Flachentransistor, Junction transistor)–
биполярный транзистор с плоскостными переходами.
Лавинный транзистор (Lawinentransistor, Avalanche transistor)–
биполярный транзистор, действие которого основано на использовании
режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.
Полевой транзистор (Ндп. Канальный транзистор, Feldeffekttransistor (FET),
Field-effect transistor)– полупроводниковый прибор, усилительные
свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим
через проводящий канал и управляемый электрическим полем.
Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда
одной полярности.
Полевой транзистор с изолированным затвором (Feldeffekttranastor mit
isoliertelem Gate, Insulated-gate FET)– полевой транзистор, имеющий
один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего
канала.
Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор,
MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET), MIS-transistor)– полевой транзистор
с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между
каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется
диэлектрик.
Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор,
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET), MOS-transistor)– полевой транзистор
с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между
каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
Симметричный транзистор (Bidirektionaltransistor, Bi-directional
transistor)– биполярный или полевой транзистор сохраняющий свои
электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения
выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.
Тиристор (Thyristor, Thyristor)– полупроводниковый прибор с двумя
устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может
переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
Диодный тиристор (Динистор, Thyristordiode, Diode thyristor)– тиристор,
имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой
структуры.
Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwarts
sperrende Тhyristordiode, Reverse blockings diode thyristor)– диодный
тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается,
а находится в обратном непроводящем состоянии.
Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende
Thyristordiode, Reverse conducting diode thyristor)– диодный тиристор,
который при отрицательном анодном напряжения не переключается, а
проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым
напряжением в открытом состоянии.
Симметричный диодный тиристор (Диак, Zweirichtungsthyristordiode,
Bi-directional diode thyristor)– диодный тиристор, способный
переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях.
Триодный тиристор (Тринистор, Thristordiode, Triode thyristor)–
тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей
полупроводниковой структуры и один вывод от управляющей.
Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwart
sperrende Thyristortriode, Reverse blocking triode thyristor)– триодный
тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается,
а находится в обратном непроводящем состоянии.
Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном
направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается
возможность другого толкования.
Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende
Thyristortriode, Reverse conducting triode thyristor)– триодный
тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается,
а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямим
напряжением в открытом состоянии.
Симметричный триодный тиристор (Триак, Zweirichtllngsthmstortrio,
Bi-directional triode thyristor Triac)– триодный тиристор, который при
подаче сигнала на его управляющий электрод включается как в прямом, так
и в обратном направлениях.
Запираемый тиристор (Abschaltbarer Thyristor, Turm-off thyristor)–
тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в
закрытое и наоборот при подаче на управляющий электрод управляющих
сигналов соответствующей полярности.
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа (Anodenseitig
gesteuerter Thyristor, Р-gate thyristor)– тиристор, у которого вывод
управляющего электрода соединен с p-областью, ближайшей к катоду,
который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий
электрод положительного, по отношению к катоду сигнала.
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа (Anodenseitig
gesteuerter Thyristor, N-gate thyristor)– тиристор, у которого вывод
управляющего электрода соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который
переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод
отрицательного по отношению к аноду сигнала.
Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении (Avalanche
reverse blocking thyristor)– тиристор с заданными характеристиками в
точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в
течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя
вольтамперной характеристики обратного непроводящего состояния.
Комбинированно-выключаемый тиристор– тиристор, выключаемый с помощью
тока управления при одновременном воздействии обратного анодного
напряжения.
Импульсный тиристор (Pulse thyristor)– тиристор, имеющий малую
длительность переходных процессов и предназначенный для применения в
импульсных режимах работы.
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор (Optoelektronisches
Halbleiterbauelement, Semiconductor optoelectronic device)–
полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий когерентное или
некогерентное электромагнитное излучение или чувствительный к этому
излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях
спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего
взаимодействия его элементов.
Полупроводниковый излучатель (Halblelterstrahler, Semiconductor
photoemitter)– оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий
электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в оптической
области спектра.
Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор (Semiconductor character
display) ГОСТ 25066-81
Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора (Приемник
излучения)– оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий
энергию оптического излучения в электрическую энергию от
полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним.
Оптопара (Optoelektronischer Koppler, Photocoupler, optocoupler)–
оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и
фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и
обеспечена электрическая изоляция.
Резисторная оптопара– оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на
основе фоторезистора.
Диодная оптопара– оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на
основе фотодиода.
Транзисторная оптопара– оптопара с фотоприемным элементом, выполненном
на основе фототранзистора.
Тиристорная оптопара– оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на
основе фототиристора.
Полупроводниковый прибор отображения информации (Lichtemitteranzeige (LEA),
Semiconductor optoelectronic display)– полупроводниковый излучатель
энергии видимой области спектра, предназначенный для отображения
визуальной информации.
Дифференциальная диодная оптопара– диодная оптопара, в которой два
близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от
одного излучателя.
Тиристорная оптопара с симметричным выходом– тиристорная оптопара с
симметричным диодным или триодным фототиристором.
Светоизлучающий диод (Lichtemitterdiode (LED), Light-emitting diode (LED))–
полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в
результате рекомбинации электронов и дырок.
Полупроводниковый экран (Semiconductor analog indicator)–
полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов,
расположенных вдоль одной линии и содержащий n строк светоизлучающих
диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения
аналоговой и цифровой информации.
Инфракрасный излучающий диод (Infrarotemitterdiode (IRED),
Infra-red-emitting diode)– полупроводниковый диод, излучающий энергию в
инфракрасном диапазоне спектра в результате рекомбинации электронов и
дырок.
Фототиристор– тиристор, в котором используется фотоэлектрический
эффект.
Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала– оптоэлектронный
полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения
со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе.
Оптоэлектронный коммутатор нагрузки– оптоэлектронный полупроводниковый
прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой
коммутации тока на выходе.
Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока– оптоэлектронный коммутатор
нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока.
Оптоэлектронный коммутатор переменного тока– оптоэлектронный коммутатор
нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока.
Оптоэлектронный переключатель логических сигналов– оптоэлектронный
полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения
со схемой логического ключа на выходе.
Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор– оптоэлектронный
полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или
двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов,
изменяющихся по закону непрерывной функции.
Октрон– оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая
связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по
открытому оптическому каналу.
Отражательный октрон– октрон, в котором приемник излучения принимает
световой поток, отраженный от излучателя.
Щелевой октрон– октрон, в котором между излучателем и приемником
излучения для управления световым потоком устанавливают
светонепроницаемую заслонку.
Волстрон– оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором
оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется
по протяженному оптическому каналу.
Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы
электронного обрамления.
Оптопреобразователь– оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним
или несколькими p-n переходами, работающий в режиме передачи и (или)
приема оптического излучения.
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов– совокупность
оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным
шагом на одной линии.
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов– совокупность
оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и
столбцам.
Термины и определения
ГОСТ
15133-77 (СТ СЭВ 2767-80
| 
