|
Явления в полупроводниковых приборах
Прямое направление для p-n перехода (Durchlassrichtung des pn‑Uberganges,
Forward direction of a P‑N junction)– направление приложения
напряжения, при котором происходит понижение потенциального барьера в p‑n
переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет
наименьшее сопротивление.
Обратное направление для p-n перехода (Sperrichtung des
pn-Uberganges, Reverse direction of а P-N junction)– направление
приложения напряжения, при котором происходит повышение потенциального
барьера в p-n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n
переход имеет наибольшее сопротивление.
Пробой p-n перехода (Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown оf a
P-N junction)– явление резкого увеличения дифференциальной проводимости
p-n перехода при достижения обратным напряжением (током) критического
для данного прибора значения. (Необратимые изменения в переходе не
являются необходимым следствием пробоя).
Электрический пробой p-n перехода (Elektrischer Durchbruch des
pn-Uberganges, P-N junction eltctrical breakdown)– пробой p-n перехода,
обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным
эффектом.
Лавинный пробой p-n перехода (Lawinendurchbruch des pn-Uberganges,
P‑N junction avalanche breakdown)– электрический пробой p-n перехода,
вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного
электрического поля.
Туннельный пробой p-n перехода (Tunneldurchbruch des
рn-Uberganges, Zenner (tunnel) breakdown)– электрический пробой p-n
перехода, вызванный туннельным эффектом.
Тепловой пробой p-n перехода (Thermischer Durchbruch des
pn-Uberganges, P‑N junction thermal breakdown)– пробой p-n перехода,
вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения
равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.
Модуляция толщины базы (Modulation der Basisbreite, Base
thickness modulation)– изменение толщины базовой области, вызванное
изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного
напряжения, приложенного к коллекторному переходу.
Эффект смыкания ("прокол базы", Durchgreifeffekt, punch-through)–
смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его
расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного
перехода.
Накопление неравновесных носителей заряда в базе (Speicherung von
Uberschussladungstragern in der Basis, Minority carrier storage in the
base)– увеличение концентрации и величины зарядов, образованных
неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции
или в результате генерации носителей заряда.
Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе (Abbau von
Uberschussladungstragern in der Basis, Excess carrier resorption in the
base)– уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных
неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции
или в результате рекомбинации.
Восстановление прямого сопротивления полупроводникового диода (Einschwingen
des Durchlasswiderstandes einer Halblelterdiode, Forward recovery)–
переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода
полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после
быстрого включения перехода в прямом направлении.
Восстановление обратного сопротивления диода (Wiederherstellung
des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode, Reverse recovery)–
переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода
полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после
быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное.
Под словом "быстрый" понимается изменение тока или напряжения за время,
сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса
установления или восстановления сопротивления.
Закрытое состояние тиристора (Blockierzustand eies Thyristors,
Off-state of a thyristor)– состояние тиристора, соответствующее участку
прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой
переключения.
Открытое состояние тиристора (Durchlasszustand eines Thyristors,
On-state of a thyristor)– состояние тиристора, соответствующее
низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной
характеристики.
Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении (Sperrzustand
eines Thyristors, Reverse blocking state of a thyristor)– состояние
тиристора, соответствующее участку вольтамперной характеристики при
обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя.
Переключение тиристора (Umschalten eines Thyristors, Switching of
a thyristors)– переход тиристора из закрытого состояния в открытое при
отсутствии тока управления на выводе управляющего электрода.
Включение тиристора (Zunden eines Thyristors, Gate triggering of
a thyristor)– переход тиристора из закрытого состояния в открытое при
подаче тока управления.
Выключение тиристора (Ausschalten eines Thyristors, Gate
turning-off of a thyristor)– переход тиристора из открытого состояния в
закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока
или при подаче тока управления.
Термины и определения
ГОСТ
15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)
| 
