|
Обозначение |
Параметр |
| B1-B2/Iк |
статический коэффициент передачи тока
биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике
приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при
котором этот параметр определяется. |
| Fт |
предельная частота коэффициента
передачи тока биполярного транзистора. |
| Cк/Uк |
емкость коллекторного перехода (Cк) и
напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется. |
| Cэ/Uэ |
емкость эмиттерного перехода (Cэ) и
напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется. |
| tр |
время рассасывания биполярного
транзистора. |
| Uкэ(Iк/Iб) |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и
заданном токе базы (Iб). |
| Iко |
обратный ток коллектора. |
| Uкб |
максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база. |
| Uэб |
максимально допустимое постоянное
напряжение эмиттер-база. |
| Uкэ/R |
максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления,
включенного между базой и эмиттером (R). |
| Iбм |
предельно допустимый постоянный ток
базы транзистора. |
| Iкм/Iкнас |
предельно допустимый постоянный (Iкм)
ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас)
или в импульсе. |
| Pк |
максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность на коллекторе. |
| Pк/Pт |
максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с
теплоотводом (Pт). |
| Rпк |
тепловое сопротивление перехода
коллектор-корпус транзистора. |
| Цок |
номер рисунка с расположением выводов. |
