Главная

Книги и статьи

Рефераты

Полезные ссылки

Бытовая электроника

Автоэлектроника

Электроника для медицины

Радиомикрофоны

Телефония

Регуляторы

Измерительная техника

Зарядные устройства

Микросхемы

Транзисторы

Диоды

Программы

Аккумуляторы

Модемы

Компьютерная электроника

Устройства радиоуправления

Ремонт телевизоров

Карта сайта

ЗАРЯДКА АККУМУЛЯТОРОВ АСИММЕТРИЧНЫМ ТОКОМ

Эксплуатационные характеристик аккумуляторов можно значительно повысить, если их зарядку производить асимметричным током. Схема устройства зарядки, реализующая такой принцип, показана на рисунке.

Рис. 1. Зарядка аккумуляторов асимметричным томом. Схема устройства

При положительном полупериоде входного напряжения ток протекает через элементы VD1, R1 и стабилизируется диодом VD2. Часть стабилизированного напряжения через резистор R3 подается на базу транзистора VT2. Транзисторы VT2 и VT4 работают как генератор тока, величина которого зависит от сопротивления резистора R4 и напряжения на базе VT2. Зарядный ток в цепи аккумулятора протекает по элементам VD3, SA1.1, РА1, SA1.2, далее через аккумулятор и коллекторный перепад транзистора VT4, R4.

При отрицательном полупериоде переменного напряжения работа устройства аналогична, но работает верхнее плечо - VD1 стабилизирует отрицательное напряжение, которое регулирует протекающий по аккумулятору ток в обратном напряжении (ток разрядки).

Показанный на схеме миллиамперметр РА1 используется при первоначальной настройке, в дальнейшем его можно отключить, переведя переключатель в другое положение.

Зарядное устройство обладает следующими преимуществами:

1. Зарядный и разрядный токи можно регулировать независимо друг от друга. Следовательно, в данном устройстве возможно применять аккумуляторы с различной величиной энергоемкости.

2. При каких-либо пропаданиях переменного напряжения каждое из плеч закрывается и через аккумулятор ток не протекает, что защищает аккумулятор от самопроизвольной разрядки.

В данном устройстве из отечественных элементов можно применить VD1 и VD2 - KC133A, VT1 и VT2 - КТ315Б или КТ503Б. Остальные элементы выбираются в зависимости от зарядного тока. Если он не превышает 100 мА, то в качестве транзисторов VT3 и VT4 можно применить КГ815 или КТ807 с любыми буквенными индексами , а в качестве диодов VD3 и VD4 - Д226, КД105 тоже с любыми буквенными индексами.

Транзисторы КГ815, КТ807 необходимо расположить на теплоотводе с площадью теплорассеиваюшей поверхности 5...15 кв.см)

Источник: shema.ru